MMUN2140LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Discrete Semiconductor Products
MMUN2140LT1G.pdf

1.Vahvista yksityiskohdat, jotka sisältävät tuotteen osan ja valmistajan tilauksen yhteydessä.
2.Jos sinulla on materiaaliluettelolista (BOM), tarvitset tarjouspyynnön. Voit lähettää meille sähköpostia.
3.Voit lähettää meille sähköpostia, jotta voit muuttaa tilaustietoja ennen lähetystä.
4.Voit peruuttaa pakettien lähettämisen jälkeen.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: minimi:1; Multiples:1; Manufacturer lead time 10 weeks

tekniset tiedot
Arvostelut
maksu
laivaus
Pakkaus

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:	250mV @ 1mA, 10mA
transistori tyyppi:	PNP - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:	SOT-23 (TO-236AB)
Sarja:	-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):	-
Vastus - Base (R1) (ohmia):	47k
Virta - Max:	246mW
Pakkaus:	Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Asennustyyppi:	Surface Mount
Taajuus - Siirtyminen:	-
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	120 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):	500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):	100mA