Tili Kirjautua ulos

Pyydä tarjous

GP1M023A050N

Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Discrete Semiconductor Products
GP1M023A050N.pdf

Kuvat ovat vain viitteellisiä.
Katso tuotetietoja Tuotetiedot.
Jos olet kiinnostunut ostamaan GP1M023A050N, lähetä sähköpostia meille.
Sales@zeanoit.com
myyntitiimimme vastaa sinulle 24 tunnin kuluessa

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: minimi:1; Multiples:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Ostoprosessi

1Confirm the product
2submit the order
3payment
4wait for delivery
5receive the goods

tekniset tiedot
Arvostelut
maksu
laivaus
Pakkaus

Vgs (th) (Max) @ Id:	4V @ 250µA
teknologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:	TO-3PN
Sarja:	-
RDS (Max) @ Id, Vgs:	220 mOhm @ 11.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):	347W (Tc)
Pakkaus:	Tube
Pakkaus / Case:	TO-3P-3, SC-65-3
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:	Through Hole
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:	3391pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	66nC @ 10V
FET tyyppi:	N-Channel
FET Ominaisuus:	-
Valua lähde jännite (Vdss):	500V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:	23A (Tc)

Jos sinulla on vääriä komplentteja, joita ei ole tilattu. Tutkimme, jotka ottavat vastuun asiasta.

Jos se on meidän, toimitamme oikeat kompensot vaihtotavaroista sen jälkeen kun olemme saaneet vääriä komplentteja.

Jos se on sinun, asiakas ottaa vastuun siitä. Yksityiskohdat ota yhteyttä asiakaspalveluun tai myyntiin.