Pyydä tarjous
Suomi
EnglishDeutschFrançaisItalia한국의العربيةTürk diliSuomipolskiNederlandČeština繁体中文Български езикΕλλάδαTiếng ViệtSlovenskáSvenskaIndonesiaDanskMagyarországעִבְרִיתрусскийPortuguêsGaeilgeاردوБеларусьPilipinoHrvatskaromânescMelayuKongeriketSlovenijaภาษาไทยУкраїнаespañolMaoriहिंदीفارسی
Pyydä tarjous
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - Bipolar (BJT) - Yksittäinen, esiase > PDTC115EEF,115

PDTC115EEF,115

PDTC115EEF,115
1.Vahvista yksityiskohdat, jotka sisältävät tuotteen osan ja valmistajan tilauksen yhteydessä.
2.Jos sinulla on materiaaliluettelolista (BOM), tarvitset tarjouspyynnön. Voit lähettää meille sähköpostia.
3.Voit lähettää meille sähköpostia, jotta voit muuttaa tilaustietoja ennen lähetystä.
4.Voit peruuttaa pakettien lähettämisen jälkeen.

Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Kommentit

Ostoprosessi

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:SC-89
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):100k
Vastus - Base (R1) (ohmia):100k
Virta - Max:250mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SC-89, SOT-490
Asennustyyppi:Surface Mount
Taajuus - Siirtyminen:-
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):1µA
Nykyinen - Collector (le) (Max):20mA


Jos sinulla on vääriä komplentteja, joita ei ole tilattu. Tutkimme, jotka ottavat vastuun asiasta.
Jos se on meidän, toimitamme oikeat kompensot vaihtotavaroista sen jälkeen kun olemme saaneet vääriä komplentteja.
Jos se on sinun, asiakas ottaa vastuun siitä. Yksityiskohdat ota yhteyttä asiakaspalveluun tai myyntiin.

Liittyvät tuotteet

Arvaa mitä etsit