RN1905,LF

Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Discrete Semiconductor Products
RN1905,LF.pdf

1.Vahvista yksityiskohdat, jotka sisältävät tuotteen osan ja valmistajan tilauksen yhteydessä.
2.Jos sinulla on materiaaliluettelolista (BOM), tarvitset tarjouspyynnön. Voit lähettää meille sähköpostia.
3.Voit lähettää meille sähköpostia, jotta voit muuttaa tilaustietoja ennen lähetystä.
4.Voit peruuttaa pakettien lähettämisen jälkeen.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: minimi:1; Multiples:1; Manufacturer lead time 10 weeks

tekniset tiedot
Arvostelut
maksu
laivaus
Pakkaus

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Toimittaja Device Package:	US6
Sarja:	-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):	47k
Vastus - Base (R1) (ohmia):	2.2k
Virta - Max:	200mW
Pakkaus:	Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Asennustyyppi:	Surface Mount
Taajuus - Siirtyminen:	250MHz
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	80 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):	500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):	100mA

Jos sinulla on vääriä komplentteja, joita ei ole tilattu. Tutkimme, jotka ottavat vastuun asiasta.

Jos se on meidän, toimitamme oikeat kompensot vaihtotavaroista sen jälkeen kun olemme saaneet vääriä komplentteja.

Jos se on sinun, asiakas ottaa vastuun siitä. Yksityiskohdat ota yhteyttä asiakaspalveluun tai myyntiin.

RN1905,LF

Request Quote

Ostoprosessi

Liittyvät tuotteet

Arvaa mitä etsit