RN2101ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Discrete Semiconductor Products
RN2101ACT(TPL3).pdf

osanumero RN2101ACT(TPL3) Onko tämä yleisesti käytetty osa? : Joo
Toimitetaan: HK: n tai Singaporen varastosta
Samassa mallissa voi olla useita eriä, kuvat vain viitteellisiä.
ECAD-mallit: Ota yhteyttä saadaksesi
Sähköposti: sales@zeanoit.com

Request Quote

tekniset tiedot
Arvostelut
maksu
laivaus
Pakkaus

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:	150mV @ 500µA, 5mA
transistori tyyppi:	PNP - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:	CST3
Sarja:	-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):	4.7k
Vastus - Base (R1) (ohmia):	4.7k
Virta - Max:	100mW
Pakkaus:	Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:	SC-101, SOT-883
Asennustyyppi:	Surface Mount
Taajuus - Siirtyminen:	-
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	30 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):	500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):	80mA