TK31J60W5,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Discrete Semiconductor Products
TK31J60W5,S1VQ.pdf

osa # TK31J60W5,S1VQ on käytettävissä, katso TK31J60W5,S1VQ: n kuvaus alla.
käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää TK31J60W5,S1VQ hinta ja läpimenoaika.
Osta elektroniset komponentit zeanoit.com: ssa. Olemme riippumaton elektroniikkakomponenttien jakelija, jolla on laaja varastotilanne.
TK31J60W5,S1VQ: n hinta ja läpimenoaika riippuvat tarvittavasta määrästä, saatavuudesta ja varaston sijainnista. Ota yhteyttä jo tänään ja myyntitiimimme lähettää sinulle tarjouksen pian.
Sähköposti: sales@zeanoit.com

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: minimi:1; Multiples:1; Manufacturer lead time 10 weeks

tekniset tiedot
Arvostelut
maksu
laivaus
Pakkaus

Vgs (th) (Max) @ Id:	3.7V @ 1.5mA
teknologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:	TO-3P(N)
Sarja:	DTMOSIV
RDS (Max) @ Id, Vgs:	88 mOhm @ 15.4A, 10V
Tehonkulutus (Max):	230W (Tc)
Pakkaus:	Tube
Pakkaus / Case:	TO-3P-3, SC-65-3
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
Asennustyyppi:	Through Hole
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:	3000pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	105nC @ 10V
FET tyyppi:	N-Channel
FET Ominaisuus:	Super Junction
Valua lähde jännite (Vdss):	600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:	30.8A (Ta)