SI1469DH-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Discrete Semiconductor Products
SI1469DH-T1-GE3.pdf

osa # SI1469DH-T1-GE3 on käytettävissä, katso SI1469DH-T1-GE3: n kuvaus alla.
käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää SI1469DH-T1-GE3 hinta ja läpimenoaika.
Osta elektroniset komponentit zeanoit.com: ssa. Olemme riippumaton elektroniikkakomponenttien jakelija, jolla on laaja varastotilanne.
SI1469DH-T1-GE3: n hinta ja läpimenoaika riippuvat tarvittavasta määrästä, saatavuudesta ja varaston sijainnista. Ota yhteyttä jo tänään ja myyntitiimimme lähettää sinulle tarjouksen pian.
Sähköposti: sales@zeanoit.com

Request Quote

In Stock~~99 pcs~~: minimi:1; Multiples:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Hinta
1	$0.65
10	$0.571
25	$0.536
100	$0.438
250	$0.407
500	$0.346
1000	$0.277

tekniset tiedot
Arvostelut
maksu
laivaus
Pakkaus

Vgs (th) (Max) @ Id:	1.5V @ 250µA
Vgs (Max):	±12V
teknologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:	SC-70-6 (SOT-363)
Sarja:	TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:	80 mOhm @ 2A, 10V
Tehonkulutus (Max):	1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Pakkaus:	Original-Reel®
Pakkaus / Case:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:	Surface Mount
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:	470pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	8.5nC @ 4.5V
FET tyyppi:	P-Channel
FET Ominaisuus:	-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):	2.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):	20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:	2.7A (Tc)