Micronin 3D NAND -muistitehdas Singaporessa valmistui virallisesti 14. päivänä. Micron huomautti, että tämä on strategia, jolla pyritään vastaamaan asiakkaiden kysyntään esimerkiksi 5G: n, keinotekoisen älykkyyden ja itsenäisen ajamisen aloilla, ja se on tärkeä ulkoasu Micronin Singaporen flash-muistiteollisuuden muutokselle.

Singapore on tärkeä tukikohta Micronin flash-muistin tuotannolle. Taiwan ja Japani ovat dynaamisen satunnaismuistin (DRAM) tuotannon painopisteitä. Viime vuosina Micron on laajentanut sijoitustaan ​​Aasiaan. Japani jatkaa edistyneiden DRAM-prosessien edistämistä ja perustaa Micronin ensimmäisen 3D DRAM -pakkauslaitoksen Taichungiin. DRAM-tehdas Taichungissa ja Taoyuanissa on Micronin DRAM-huippuyksikkö. Micron lupasi myös laajentaa Taiwanin DRAM-valmistusasteikkoa. Asiaa koskeva suunnitelma on toimitettu tarkistamista varten Kiinan tiede- ja teknologiajärjestön Taiwanin sivukonttorille. Toivon, että hallitus voi auttaa ratkaisemaan ongelmia, kuten maa, vesi ja sähkö.

Uusi laitos on osa Micronin NAND-osaamiskeskusta, joka hyödyntää pitkäaikaisia ​​investointejaan Singaporen infrastruktuuri- ja teknologiaosaamiseen 3D NAND Flash -sovelluksen edistämiseksi laajentamalla puhdastilojen ja muuntamisprosessien toimintaa.

Micron NAND -osaamiskeskus on suunniteltu huipputeknisillä älykkäillä valmistusominaisuuksilla, jotta voidaan tarjota laajennuksia useille 3D NAND-muunnoksille. Hän odottaa innolla jatkavansa yhteistyötä Singaporen paikallisten toimittajien, yliopistojen ja valtion virastojen kanssa innovoinnissa ja menestyksessä. Hän kiittää myös asiaankuuluvia kumppaneita ja organisaatioita laajentamaan Micronin laajennussuunnitelmia.

Kaiken kaikkiaan uuden Singaporen tehtaan rakentaminen on 3D NANDFlash -teknologian edistyneiden solmujen tekninen muutos vastauksena asiakkaiden kysyntään 5G-, AI- ja itsenäisillä ajosektoreilla, samalla kun parannetaan myös Micronin tulevaa kasvua.