NVMFD5483NLT3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Discrete Semiconductor Products
NVMFD5483NLT3G.pdf

1.Vahvista yksityiskohdat, jotka sisältävät tuotteen osan ja valmistajan tilauksen yhteydessä.
2.Jos sinulla on materiaaliluettelolista (BOM), tarvitset tarjouspyynnön. Voit lähettää meille sähköpostia.
3.Voit lähettää meille sähköpostia, jotta voit muuttaa tilaustietoja ennen lähetystä.
4.Voit peruuttaa pakettien lähettämisen jälkeen.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: minimi:1; Multiples:1; Manufacturer lead time 10 weeks

tekniset tiedot
Arvostelut
maksu
laivaus
Pakkaus

Vgs (th) (Max) @ Id:	2.5V @ 250µA
Toimittaja Device Package:	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Sarja:	-
RDS (Max) @ Id, Vgs:	36 mOhm @ 15A, 10V
Virta - Max:	3.1W
Pakkaus:	Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:	8-PowerTDFN
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:	Surface Mount
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:	668pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	23.4nC @ 10V
FET tyyppi:	2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:	Logic Level Gate
Valua lähde jännite (Vdss):	60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:	6.4A