AON4407L

1.Vahvista yksityiskohdat, jotka sisältävät tuotteen osan ja valmistajan tilauksen yhteydessä.
2.Jos sinulla on materiaaliluettelolista (BOM), tarvitset tarjouspyynnön. Voit lähettää meille sähköpostia.
3.Voit lähettää meille sähköpostia, jotta voit muuttaa tilaustietoja ennen lähetystä.
4.Voit peruuttaa pakettien lähettämisen jälkeen.

Request Quote

tekniset tiedot
Arvostelut
maksu
laivaus
Pakkaus

Vgs (th) (Max) @ Id:	850mV @ 250µA
teknologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:	8-DFN (3x2)
Sarja:	-
RDS (Max) @ Id, Vgs:	20 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):	2.5W (Ta)
Pakkaus:	Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:	8-VDFN Exposed Pad
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:	Surface Mount
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:	2100pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	23nC @ 4.5V
FET tyyppi:	P-Channel
FET Ominaisuus:	-
Valua lähde jännite (Vdss):	12V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:	9A (Ta)