DDTC115ECA-7

Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Discrete Semiconductor Products
DDTC115ECA-7.pdf

osanumero DDTC115ECA-7 Onko tämä yleisesti käytetty osa? : Joo
Toimitetaan: HK: n tai Singaporen varastosta
Samassa mallissa voi olla useita eriä, kuvat vain viitteellisiä.
ECAD-mallit: Ota yhteyttä saadaksesi
Sähköposti: sales@zeanoit.com

Request Quote

tekniset tiedot
Arvostelut
maksu
laivaus
Pakkaus

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi:	NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:	SOT-23-3
Sarja:	-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):	100k
Vastus - Base (R1) (ohmia):	100k
Virta - Max:	200mW
Pakkaus:	Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Asennustyyppi:	Surface Mount
Taajuus - Siirtyminen:	250MHz
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	82 @ 5mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):	500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):	100mA