EPC2101ENG

EPC
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Discrete Semiconductor Products
EPC2101ENG.pdf

osa # EPC2101ENG on käytettävissä, katso EPC2101ENG: n kuvaus alla.
käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää EPC2101ENG hinta ja läpimenoaika.
Osta elektroniset komponentit zeanoit.com: ssa. Olemme riippumaton elektroniikkakomponenttien jakelija, jolla on laaja varastotilanne.
EPC2101ENG: n hinta ja läpimenoaika riippuvat tarvittavasta määrästä, saatavuudesta ja varaston sijainnista. Ota yhteyttä jo tänään ja myyntitiimimme lähettää sinulle tarjouksen pian.
Sähköposti: sales@zeanoit.com

Request Quote

tekniset tiedot
Arvostelut
maksu
laivaus
Pakkaus

Vgs (th) (Max) @ Id:	2.5V @ 2mA
Toimittaja Device Package:	Die
Sarja:	eGaN®
RDS (Max) @ Id, Vgs:	11.5 mOhm @ 20A, 5V
Virta - Max:	-
Pakkaus:	Tray
Pakkaus / Case:	Die
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:	Surface Mount
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:	300pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	2.7nC @ 5V
FET tyyppi:	2 N-Channel (Half Bridge)
FET Ominaisuus:	GaNFET (Gallium Nitride)
Valua lähde jännite (Vdss):	60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:	9.5A, 38A