Pyydä tarjous
Suomi
EnglishDeutschFrançaisItalia한국의العربيةTürk diliSuomipolskiNederlandČeština繁体中文Български езикΕλλάδαTiếng ViệtSlovenskáSvenskaIndonesiaDanskMagyarországעִבְרִיתрусскийPortuguêsGaeilgeاردوБеларусьPilipinoHrvatskaromânescMelayuKongeriketSlovenijaภาษาไทยУкраїнаespañolMaoriहिंदीفارسی
Pyydä tarjous
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - Bipolar (BJT) - Yksittäinen, esiase > FJNS3210RBU

FJNS3210RBU

FJNS3210RBU
osanumero FJNS3210RBU Onko tämä yleisesti käytetty osa? : Joo
Toimitetaan: HK: n tai Singaporen varastosta
Samassa mallissa voi olla useita eriä, kuvat vain viitteellisiä.
ECAD-mallit: Ota yhteyttä saadaksesi
Sähköposti: sales@zeanoit.com

Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Kommentit

Ostoprosessi

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:TO-92S
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):-
Vastus - Base (R1) (ohmia):10k
Virta - Max:300mW
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
Asennustyyppi:Through Hole
Taajuus - Siirtyminen:250MHz
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA


Jos sinulla on vääriä komplentteja, joita ei ole tilattu. Tutkimme, jotka ottavat vastuun asiasta.
Jos se on meidän, toimitamme oikeat kompensot vaihtotavaroista sen jälkeen kun olemme saaneet vääriä komplentteja.
Jos se on sinun, asiakas ottaa vastuun siitä. Yksityiskohdat ota yhteyttä asiakaspalveluun tai myyntiin.

Liittyvät tuotteet

Arvaa mitä etsit