IRFR13N15DTRR

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Discrete Semiconductor Products
IRFR13N15DTRR.pdf

Voimme toimittaa IRFR13N15DTRR, käytä pyyntöä lainauslomake pyytää IRFR13N15DTRR pirce ja lead time.Zeano on ammatillinen elektroniikkakomponenttien jakelija. Saatavilla olevien elektronisten komponenttien 3 + miljoonalla rivillä voi toimittaa lyhyellä lyijyajalla yli 250 tuhannen osan elektronisia komponentteja, jotka ovat varastossa heti toimitettavaksi, mikä voi sisältää osanumeron IRFR13N15DTRR. IRFR13N15DTRR: n hinta ja toimitusaika riippuen määrästä vaaditaan ja varastopaikka. ota meihin yhteyttä ja myyntiedustaja antaa sinulle hinnan. Odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.

Request Quote

tekniset tiedot
Arvostelut
maksu
laivaus
Pakkaus

Vgs (th) (Max) @ Id:	5.5V @ 250µA
teknologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:	D-Pak
Sarja:	HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:	180 mOhm @ 8.3A, 10V
Tehonkulutus (Max):	86W (Tc)
Pakkaus:	Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:	Surface Mount
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:	620pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	29nC @ 10V
FET tyyppi:	N-Channel
FET Ominaisuus:	-
Valua lähde jännite (Vdss):	150V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:	14A (Tc)