EMG4T2R

LAPIS Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Discrete Semiconductor Products
EMG4T2R.pdf

1.Vahvista yksityiskohdat, jotka sisältävät tuotteen osan ja valmistajan tilauksen yhteydessä.
2.Jos sinulla on materiaaliluettelolista (BOM), tarvitset tarjouspyynnön. Voit lähettää meille sähköpostia.
3.Voit lähettää meille sähköpostia, jotta voit muuttaa tilaustietoja ennen lähetystä.
4.Voit peruuttaa pakettien lähettämisen jälkeen.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: minimi:1; Multiples:1; Manufacturer lead time 10 weeks

tekniset tiedot
Arvostelut
maksu
laivaus
Pakkaus

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 1mA, 10mA
transistori tyyppi:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Toimittaja Device Package:	EMT5
Sarja:	-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):	-
Vastus - Base (R1) (ohmia):	10k
Virta - Max:	150mW
Pakkaus:	Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:	6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Asennustyyppi:	Surface Mount
Taajuus - Siirtyminen:	250MHz
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	100 @ 1mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):	-
Nykyinen - Collector (le) (Max):	100mA

Jos sinulla on vääriä komplentteja, joita ei ole tilattu. Tutkimme, jotka ottavat vastuun asiasta.

Jos se on meidän, toimitamme oikeat kompensot vaihtotavaroista sen jälkeen kun olemme saaneet vääriä komplentteja.

Jos se on sinun, asiakas ottaa vastuun siitä. Yksityiskohdat ota yhteyttä asiakaspalveluun tai myyntiin.

EMG4T2R

Request Quote

Ostoprosessi

Liittyvät tuotteet

Arvaa mitä etsit