Pyydä tarjous
Suomi
EnglishDeutschFrançaisItalia한국의العربيةTürk diliSuomipolskiNederlandČeština繁体中文Български езикΕλλάδαTiếng ViệtSlovenskáSvenskaIndonesiaDanskMagyarországעִבְרִיתрусскийPortuguêsGaeilgeاردوБеларусьPilipinoHrvatskaromânescMelayuKongeriketSlovenijaภาษาไทยУкраїнаespañolMaoriहिंदीفارسی
Pyydä tarjous
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - Bipolar (BJT) - Yksittäinen, esiase > UNR921BG0L

UNR921BG0L

UNR921BG0L
osanumero UNR921BG0L Onko tämä yleisesti käytetty osa? : Joo
Toimitetaan: HK: n tai Singaporen varastosta
Samassa mallissa voi olla useita eriä, kuvat vain viitteellisiä.
ECAD-mallit: Ota yhteyttä saadaksesi
Sähköposti: sales@zeanoit.com

Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Kommentit

Ostoprosessi

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:SSMini3-F3
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):-
Vastus - Base (R1) (ohmia):100k
Virta - Max:125mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SC-89, SOT-490
Asennustyyppi:Surface Mount
Taajuus - Siirtyminen:150MHz
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:160 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA


Jos sinulla on vääriä komplentteja, joita ei ole tilattu. Tutkimme, jotka ottavat vastuun asiasta.
Jos se on meidän, toimitamme oikeat kompensot vaihtotavaroista sen jälkeen kun olemme saaneet vääriä komplentteja.
Jos se on sinun, asiakas ottaa vastuun siitä. Yksityiskohdat ota yhteyttä asiakaspalveluun tai myyntiin.

Liittyvät tuotteet

Arvaa mitä etsit