RN1605TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Discrete Semiconductor Products
RN1605TE85LF.pdf

1.Vahvista yksityiskohdat, jotka sisältävät tuotteen osan ja valmistajan tilauksen yhteydessä.
2.Jos sinulla on materiaaliluettelolista (BOM), tarvitset tarjouspyynnön. Voit lähettää meille sähköpostia.
3.Voit lähettää meille sähköpostia, jotta voit muuttaa tilaustietoja ennen lähetystä.
4.Voit peruuttaa pakettien lähettämisen jälkeen.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: minimi:1; Multiples:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Hinta
3000	$0.063
6000	$0.057
15000	$0.05
30000	$0.047
65535	$0.04

tekniset tiedot
Arvostelut
maksu
laivaus
Pakkaus

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Toimittaja Device Package:	SM6
Sarja:	-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):	47k
Vastus - Base (R1) (ohmia):	2.2k
Virta - Max:	300mW
Pakkaus:	Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:	SC-74, SOT-457
Asennustyyppi:	Surface Mount
Taajuus - Siirtyminen:	250MHz
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	80 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):	100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):	100mA

Jos sinulla on vääriä komplentteja, joita ei ole tilattu. Tutkimme, jotka ottavat vastuun asiasta.

Jos se on meidän, toimitamme oikeat kompensot vaihtotavaroista sen jälkeen kun olemme saaneet vääriä komplentteja.

Jos se on sinun, asiakas ottaa vastuun siitä. Yksityiskohdat ota yhteyttä asiakaspalveluun tai myyntiin.

RN1605TE85LF

Request Quote

Ostoprosessi

Liittyvät tuotteet

Arvaa mitä etsit