SE10FJHM3/H

Vishay / Semiconductor - Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Discrete Semiconductor Products
SE10FJHM3/H.pdf

Voimme toimittaa SE10FJHM3/H, käytä pyyntöä lainauslomake pyytää SE10FJHM3/H pirce ja lead time.Zeano on ammatillinen elektroniikkakomponenttien jakelija. Saatavilla olevien elektronisten komponenttien 3 + miljoonalla rivillä voi toimittaa lyhyellä lyijyajalla yli 250 tuhannen osan elektronisia komponentteja, jotka ovat varastossa heti toimitettavaksi, mikä voi sisältää osanumeron SE10FJHM3/H. SE10FJHM3/H: n hinta ja toimitusaika riippuen määrästä vaaditaan ja varastopaikka. ota meihin yhteyttä ja myyntiedustaja antaa sinulle hinnan. Odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: minimi:1; Multiples:1; Manufacturer lead time 10 weeks

tekniset tiedot
Arvostelut
maksu
laivaus
Pakkaus

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:	1.05V @ 1A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):	600V
Toimittaja Device Package:	DO-219AB (SMF)
Nopeus:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sarja:	Automotive, AEC-Q101
Käänteinen Recovery Time (TRR):	780ns
Pakkaus:	Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:	DO-219AB
Käyttölämpötila - liitäntä:	-55°C ~ 175°C
Asennustyyppi:	Surface Mount
diodi Tyyppi:	Standard
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:	5µA @ 600V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):	1A
Kapasitanssi @ Vr, F:	7.5pF @ 4V, 1MHz