Tili Kirjautua ulos

Pyydä tarjous

SI4906DY-T1-E3

Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Discrete Semiconductor Products
SI4906DY-T1-E3.pdf

Kuvat ovat vain viitteellisiä.
Katso tuotetietoja Tuotetiedot.
Jos olet kiinnostunut ostamaan SI4906DY-T1-E3, lähetä sähköpostia meille.
Sales@zeanoit.com
myyntitiimimme vastaa sinulle 24 tunnin kuluessa

Request Quote

Ostoprosessi

1Confirm the product
2submit the order
3payment
4wait for delivery
5receive the goods

tekniset tiedot
Arvostelut
maksu
laivaus
Pakkaus

Vgs (th) (Max) @ Id:	2.2V @ 250µA
Toimittaja Device Package:	8-SO
Sarja:	TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:	39 mOhm @ 5A, 10V
Virta - Max:	3.1W
Pakkaus:	Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:	Surface Mount
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:	625pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	22nC @ 10V
FET tyyppi:	2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:	Standard
Valua lähde jännite (Vdss):	40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:	6.6A

Jos sinulla on vääriä komplentteja, joita ei ole tilattu. Tutkimme, jotka ottavat vastuun asiasta.

Jos se on meidän, toimitamme oikeat kompensot vaihtotavaroista sen jälkeen kun olemme saaneet vääriä komplentteja.

Jos se on sinun, asiakas ottaa vastuun siitä. Yksityiskohdat ota yhteyttä asiakaspalveluun tai myyntiin.