SQJ202EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Discrete Semiconductor Products
SQJ202EP-T1_GE3.pdf

osanumero SQJ202EP-T1_GE3 Onko tämä yleisesti käytetty osa? : Joo
Toimitetaan: HK: n tai Singaporen varastosta
Samassa mallissa voi olla useita eriä, kuvat vain viitteellisiä.
ECAD-mallit: Ota yhteyttä saadaksesi
Sähköposti: sales@zeanoit.com

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: minimi:1; Multiples:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Hinta
3000	$0.512
6000	$0.486

tekniset tiedot
Arvostelut
maksu
laivaus
Pakkaus

Vgs (th) (Max) @ Id:	2V @ 250µA
Toimittaja Device Package:	PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Sarja:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:	6.5 mOhm @ 15A, 10V
Virta - Max:	27W, 48W
Pakkaus:	Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:	PowerPAK® SO-8 Dual
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:	Surface Mount
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:	975pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	22nC @ 10V
FET tyyppi:	2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:	Standard
Valua lähde jännite (Vdss):	12V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:	20A, 60A

Jos sinulla on vääriä komplentteja, joita ei ole tilattu. Tutkimme, jotka ottavat vastuun asiasta.

Jos se on meidän, toimitamme oikeat kompensot vaihtotavaroista sen jälkeen kun olemme saaneet vääriä komplentteja.

Jos se on sinun, asiakas ottaa vastuun siitä. Yksityiskohdat ota yhteyttä asiakaspalveluun tai myyntiin.

SQJ202EP-T1_GE3

Request Quote

Ostoprosessi

Liittyvät tuotteet

Arvaa mitä etsit